德國蔡司FIB雙束掃描電鏡Crossbeam 350-華普通用
型號：Crossbeam 350
蔡司FIB雙束掃描電鏡Crossbeam 350結(jié)合了高分辨率場發(fā)射掃描電鏡（FE-SEM）的出色成像和分析性能，以及新一代聚焦離子束（FIB）的優(yōu)異加工能力。
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產(chǎn)品描述
蔡司雙束掃描電鏡Crossbeam 350結(jié)合了高分辨率場發(fā)射掃描電鏡（FE-SEM）的出色成像和分析性能，以及新一代聚焦離子束（FIB）的優(yōu)異加工能力。無論是用于多用戶實驗平臺，還是科研或工業(yè)實驗室， 利用Crossbeam系列模塊化的平臺設(shè)計理念，您可基于自身需求隨時升級儀器系統(tǒng)（例如使用LaserFIB進行大規(guī)模材料加工）。在加工、成像或是實現(xiàn)三維重構(gòu)分析時，Crossbeam 350將大大提升您的聚焦離子束（FIB）應(yīng)用效率。
使您的掃描電鏡（SEM）具備強大的洞察力
提升您的聚集離子束（FIB）樣品制備效率
在您的雙束掃描電鏡（FIB-SEM）分析中體驗出色的三維空間分辨率
使您的掃描電鏡具備強大的洞察力
通過樣品臺減速技術(shù)（Tandem decel，新型蔡司Gemini電子光學(xué)系統(tǒng)的一項功能）實現(xiàn)低電壓電子束分辨率提升高達30%。
使用Gemini電子光學(xué)系統(tǒng)，您可以從高分辨率掃描電鏡（SEM）圖像中獲取真實的樣品信息。
在進行高度靈敏表面二維成像或三維斷層成像時，您可以信賴蔡司雙束電鏡Crossbeam系列的性能。
即使在使用非常低的加速電壓時也可獲得高分辨率、高對比度和高信噪比的清晰圖像。
借助一系列的探測器實現(xiàn)樣品的全方位表征；使用獨特的Inlens EsB探測器獲得更純的材料成分襯度。
使用低電壓表征不導(dǎo)電樣品，消除荷電效應(yīng)的影響。
提升您的聚焦離子束（FIB）樣品制備效率
得益于智能聚焦離子束（FIB）的掃描策略，移除材料相比以往實驗快40%以上。
鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor采用了全新的加工方式：盡可能減少樣品損傷，提升樣品質(zhì)量，從而加快實驗進程。
使用高達100 nA的離子束束流，高效而精確地處理樣品，并保持高分辨率。
制備TEM樣品時，請使用鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor的低電壓功能：獲得超薄樣品的同時，盡可能降低非晶化損傷。
在您的雙束電鏡分析中體驗出色的三維空間分辨率
體驗整合的三維能譜和EBSD分析所帶來的優(yōu)勢。
在切割、成像或執(zhí)行三維分析時，Crossbeam系列將提升您的FIB應(yīng)用效率。
使用先進的快速精準三維成像及分析軟硬件包——Altas 5來擴展您的Crossbeam性能。
使用Atlas 5中集成的三維分析模塊可在三維斷層成像過程中進行EDS和EBSD分析。
雙束電鏡的斷層成像可獲得優(yōu)異的三維空間分辨率和各向同性的三維體素尺寸；使用Inlens EsB探測器探測小于3 nm的深度，可獲得極表面的材料成分襯度圖像。
在加工過程中收集連續(xù)切片圖像以節(jié)省時間；精確的體素尺寸和自動流程保證圖像質(zhì)量。
蔡司雙束電鏡Crossbeam系列
Crossbeam 350
利用低真空操作，使用可變壓力模式對含有氣體或帶電的樣品進行原位實驗。通過獨特的Gemini電子光學(xué)系統(tǒng)和鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor，實現(xiàn)高質(zhì)量成像。
Crossbeam 550
為您進行要求苛刻的材料表征并選擇適合您的樣品尺寸——標準尺寸或大尺寸。Gemini 2電子光學(xué)系統(tǒng)即使在低電壓和高束流條件下亦可提供高分辨率。如需在高束流條件下獲得高分辨率圖像以及進行快速分析，這無疑是您的理想之選。
Crossbeam Laser
用于切割大量材料和制備大樣品的儀器——交換艙內(nèi)的飛秒激光助力原位研究，避免了艙室污染，并可配置于Crossbeam 350和550，快速找到深埋結(jié)構(gòu)的入口以及制備要求苛刻的結(jié)構(gòu)（如原子探針樣品）。
Correlative Cryo Workflow（冷凍關(guān)聯(lián)工作流程）
這種用于在冷凍條件下進行TEM薄片制備和體積成像的解決方案能夠?qū)崿F(xiàn)接近原生狀態(tài)的成像。關(guān)聯(lián)寬場顯微鏡、激光共聚焦顯微鏡和雙束電鏡， 同時保持多功能雙束電鏡的靈活性。